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これを製作した当初から気になっていたことを、ようやく解消しました。
 
終段 SiC MOS-FETのゲート抵抗が上下で異なっています。記事発表時には、回路図の誤植ではと思われたのですが、結局は「寄生発振」対策でこうなっているとのことでした。
 
それで、同じCREE社製のSiC MOS-FETを使った他の方の作例をみても上下同一の値で使っておられます。どうも、ローム社製のものには寄生発振は宿命のようです。
 
交換し難い部分ではあるのですが、何とか無事交換が終わりました。下側の抵抗を上側と同じ100Ωに交換しています。（交換前の値は1KΩ）
 
念のためオフセットなどの調整後、しばらく聴いてみました。特に、おかしな感じはありませんでしたが、逆に特別に良くなったということも感じません。まあ、精神的にもこの方がスッキリするというような程度ですね。
 
いずれにしても、更に聴き込んでみたいと思います。